Samsung Electronics rozpocznie masową produkcję chipów 3D NAND z ponad 300 warstwami od 2024 roku. Chipy te zwiększają pojemność i wydajność pamięci NAND flash używanej do przechowywania danych w smartfonach lub komputerach.
Co to jest pamięć flash NAND?
Pamięć flash NAND to urządzenie, które przechowuje dane w smartfonie lub komputerze i dane nie są usuwane nawet po wyłączeniu zasilania. Wydajność pamięci flash NAND zależy od pojemności i szybkości przechowywania.Ogólnie rzecz biorąc, im większa pojemność, tym większa prędkość.
Pojemność pamięci flash NAND jest określona przez liczbę komórek na chipie i liczbę bitów przechowywanych w komórce. Komórka to mała struktura, która odczytuje i zapisuje dane poprzez odbieranie sygnałów elektrycznych, a bit jest najmniejszą jednostką danych reprezentowaną przez 0 i 1. Na przykład, jeśli pamięć flash NAND z komórką jednopoziomową (SLC) może przechowywać 1 bit na komórkę, 100 komórek może przechowywać 100 bitów danych. Jeśli jednak masz pamięć flash typu NAND z komórkami wielopoziomowymi (MLC), jedna komórka może przechowywać 2 bity, a te same 100 komórek może przechowywać 200 bitów danych.
Istnieje jednak ograniczenie liczby bitów, które można przechowywać w komórce. Dzieje się tak, ponieważ wraz ze wzrostem liczby bitów dokładne rozróżnienie sygnałów elektrycznych staje się trudne, a prawdopodobieństwo wystąpienia błędów wzrasta. Tak więc typ komórki czteropoziomowej (QLC), który przechowuje 4 bity na komórkę, jest obecnie dostępny na rynku, a typ komórki pięciopoziomowej (PLC), który przechowuje 8 bitów, jest nadal badany.
Prostym sposobem na zwiększenie liczby komórek jest zwiększenie rozmiaru chipa. Jednak wraz ze wzrostem rozmiaru chipa rośnie liczba defektów występujących w procesie wytwarzania chipa, a rozmiar urządzenia łączącego chip również musi rosnąć. Staje się to czynnikiem zmniejszającym produktywność i wydajność.
Dlatego producenci pamięci NAND flash znaleźli sposób na zwiększenie liczby ogniw przy zachowaniu rozmiaru chipa. Metoda polega na układaniu komórek pionowo. W ten sposób liczba komórek wzrasta wykładniczo, a pojemność pamięci wzrasta, mimo że powierzchnia chipa pozostaje taka sama. Ta metoda nazywa się flashem 3D NAND.
Technologia flash 3D NAND firmy Samsung
Pamięć flash 3D NAND została po raz pierwszy wprowadzona przez Samsung Electronics w 2013 roku i nadal jest liderem w branży. Samsung Electronics rozpoczął masową produkcję 176-warstwowych pamięci flash 3D NAND w 2021 roku i planuje masową produkcję 256-warstwowych pamięci flash 3D NAND w 2025 roku. Firma Samsung Electronics stosuje metodę zwaną „podwójnym stosem”. Ta metoda polega na podzieleniu chipa na dwie części, a następnie ich złożeniu. Na przykład, aby zrobić chip 300-warstwowy, zrób dwa chipy 150-warstwowe i sklej je ze sobą.
Firma Samsung Electronics przygotowała wewnętrzny plan wprowadzenia „Triple Stack” wdrożonego przez SK Hynix, począwszy od pamięci flash NAND 10. generacji po pamięć flash V-NAND 9. generacji. W przypadku technologii potrójnego stosu firma znana jest ze współpracy z globalnymi partnerami w zakresie sprzętu półprzewodnikowego, takimi jak Tokyo Electron (TEL), aby zapewnić konkurencyjność kosztową.
Dzięki tej technologii Samsung Electronics może masowo produkować chipy 3D NAND z ponad 300 warstwami. To znacznie zwiększa pojemność i wydajność pamięci flash NAND. Ponadto firma Samsung Electronics planuje wykorzystanie tych chipów w różnych aplikacjach, takich jak smartfony, komputery, serwery i centra danych.
Ta rewolucyjna technologia firmy Samsung Electronics otworzy nową erę w dziedzinie przechowywania danych. Samsung Electronics będzie nadal dostarczać innowacyjne rozwiązania, aby utrzymać swoją przewagę nad konkurentami w tej dziedzinie.
„Profesjonalny guru sieci. Przyjazny odkrywca. Miłośnik jedzenia. Ogólny rozrabiaka. Miłośnik telewizji. Nieuleczalny fanatyk piwa”.